VNQ660SP-E vs VNQ660SP مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ VNQ660SP-E بواسطة STMicroelectronics و VNQ660SP بواسطة STMicroelectronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل VNQ660SP-E VNQ660SP
العلامة التجارية STMicroelectronics STMicroelectronics
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
البنية الطوبولوجية High-Side Switch (Solid State Relay) —
Number of Channels 4 (Quad) 4
Technology STMicroelectronics VIPower M0-3 VIPower M0-3
Supply Voltage (Vcc) 6 V to 36 V —
On-State Resistance (RDS(on)) 40 mOhm per channel (typical) —
Output Current per Channel 6 A continuous —
Output Current (Peak) [DATA_NEEDED: peak current per channel] —
Input Type CMOS-compatible logic inputs —
Off-State Open-Load Detection Yes —
Undervoltage Shutdown Yes Yes
Overvoltage Shutdown / Clamp Yes —
الإيقاف الحراري Yes Yes
Current Limitation Yes Yes
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
العلبة PowerSO-10 (Exposed Bottom Pad) PowerSO-10 (10-pin with exposed pad)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant —
زمن تأخير التشغيل 40 us (typ) —
Part Number — VNQ660SP
Manufacturer — STMicroelectronics
الوظيفة — Quad Channel High-Side Solid State Relay
تكوين الخرج — High-Side (N-Channel MOSFET)
On-Resistance RDS(on) per Channel — 50 mΩ (typical)
Continuous Output Current per Channel — 6 A
Supply Voltage VCC — 10 V to 36 V
Input Compatibility — CMOS-compatible logic inputs
Open-Load Detection — Yes (off-state)
Overvoltage Shutdown — Yes
Overvoltage Clamp — Yes (active avalanche)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر