W634GU6RB12J vs MT41K256M16TW-107 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ W634GU6RB12J بواسطة Winbond و MT41K256M16TW-107 بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | W634GU6RB12J | MT41K256M16TW-107 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Winbond | Micron Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| سعر الوحدة (USD) | — | $14.10 |
| نوع الذاكرة | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| حجم الذاكرة | 4Gbit | 4 Gbit |
| التنظيم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| الواجهة | Parallel | Parallel |
| Clock Frequency | 933 MHz | 933 MHz (DDR3L-1866) |
| Access Time | 20 ns | 20 ns |
| جهد التغذية | 1.35V | 1.35 V |
| العلبة | 96-VFBGA (7.5x13) | 96-FBGA (8x14 mm) |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C to +105°C (TCASE) | 0C to +95C (commercial :P grade) |
| Speed Grade | 12J (DDR3L-1866) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| حالة RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | — |
| Burst Length | 8 | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| عرض ناقل البيانات | — | 16 bit |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |