W634GU6RB12J vs MT41K256M16TW-107 비교
다음의 상세 나란히 비교: W634GU6RB12J 제조: Winbond 및 MT41K256M16TW-107 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | W634GU6RB12J | MT41K256M16TW-107 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Winbond | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $6.00 | $14.10 |
| 메모리 유형 | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| 메모리 크기 | 4Gbit | 4 Gbit |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel |
| Clock Frequency | 933 MHz | 933 MHz (DDR3L-1866) |
| Access Time | 20 ns | 20 ns |
| 공급 전압 | 1.35V | 1.35 V |
| 패키지 | 96-VFBGA (7.5x13) | 96-FBGA (8x14 mm) |
| 동작 온도 | -40°C to +105°C (TCASE) | 0C to +95C (commercial :P grade) |
| Speed Grade | 12J (DDR3L-1866) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS 상태 | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| 할로겐 프리 | Yes | — |
| Burst Length | 8 | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| 데이터 버스 폭 | — | 16 bit |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| MSL 레벨 | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |