BSC010NE2LSIATMA1 vs BSC047N08NS3GATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSC010NE2LSIATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSC047N08NS3GATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | BSC010NE2LSIATMA1 | BSC047N08NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series / Family | OptiMOS 25V | — |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 38 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 100 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 96 W | — |
| প্যাকেজ | PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 EP) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS (Trench) | OptiMOS™ 3 (N-channel trench) |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55C to +150C (TJ) | -55 °C to +175 °C (Tj) |
| পিন সংখ্যা | 8 | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | — |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| MSL লেভেল | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Rds(on) at 10V | [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=10V] | — |
| Rds(on) at 4.5V | [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=4.5V] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Part Number | — | BSC047N08NS3GATMA1 |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 18 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 4.7 mOhm at VGS=10 V |
| Power Dissition (Tc) | — | 125 W |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS th) | — | Normal level (typ 1.7 V) |
| Avalanche Rated | — | 100% tested |
| RoHS / Halogen-Free | — | RoHS compliant, Halogen-free |