BSC010NE2LSIATMA1 vs BSC047N08NS3GATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC010NE2LSIATMA1 מאת Infineon ו BSC047N08NS3GATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | BSC010NE2LSIATMA1 | BSC047N08NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series / Family | OptiMOS 25V | — |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 38 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 100 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 96 W | — |
| מארז | PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 EP) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS (Trench) | OptiMOS™ 3 (N-channel trench) |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +150C (TJ) | -55 °C to +175 °C (Tj) |
| מספר פינים | 8 | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | — |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Rds(on) at 10V | [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=10V] | — |
| Rds(on) at 4.5V | [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=4.5V] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Part Number | — | BSC047N08NS3GATMA1 |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 18 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 4.7 mOhm at VGS=10 V |
| Power Dissition (Tc) | — | 125 W |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS th) | — | Normal level (typ 1.7 V) |
| Avalanche Rated | — | 100% tested |
| RoHS / Halogen-Free | — | RoHS compliant, Halogen-free |