BSC040N08NS5ATMA1 vs BSZ110N08NS5ATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSC040N08NS5ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSZ110N08NS5ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | BSC040N08NS5ATMA1 | BSZ110N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC040N08NS5ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) | OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 100 A | — |
| Maximum Drain Current (ID, Tc=25C, package-limited) | 121 A | — |
| On-Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) | 4 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ta=25C, 1in² PCB) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc=25C) | 104 W | — |
| প্যাকেজ | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | -55 C to +175 C | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| MSL লেভেল | 1 | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Primary Application | Synchronous rectification in telecom and server power supplies | — |
| Part Family | — | OptiMOS 5 |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 40 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 11 mΩ |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 50 W |
| Polarity | — | N-Channel |
| Configuration | — | Single MOSFET |
| Gate Drive Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS rating] |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |