BSC040N08NS5ATMA1 vs BSZ110N08NS5ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC040N08NS5ATMA1 بذریعہ Infineon اور BSZ110N08NS5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSC040N08NS5ATMA1 | BSZ110N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC040N08NS5ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) | OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 100 A | — |
| Maximum Drain Current (ID, Tc=25C, package-limited) | 121 A | — |
| On-Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) | 4 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ta=25C, 1in² PCB) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc=25C) | 104 W | — |
| پیکیج | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55 C to +175 C | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| MSL لیول | 1 | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Primary Application | Synchronous rectification in telecom and server power supplies | — |
| Part Family | — | OptiMOS 5 |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 40 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 11 mΩ |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 50 W |
| Polarity | — | N-Channel |
| Configuration | — | Single MOSFET |
| Gate Drive Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS rating] |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |