BSC109N10NS3GATMA1 vs BSC019N08NS5ATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSC109N10NS3GATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSC019N08NS5ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
BSC109N10NS3GATMA1 - 100V 63A N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon
BSC109N10NS3GATMA1 ✓ সক্রিয়Infineon
BSC019N08NS5ATMA1 - 80V 237A 1.9mOhm OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
BSC019N08NS5ATMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | BSC109N10NS3GATMA1 | BSC019N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 63 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 78 W | — |
| RDS(on) Max | 10.9 mOhm at VGS=10 V | — |
| Technology | OptiMOS 3 | OptiMOS 5 (N-channel trench) |
| প্যাকেজ | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Gate Charge (Qg) | 26 nC | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55C to +175C | -55 C to +150 C |
| পিন সংখ্যা | 8 | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Avalanche Energy Rated | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Polarity | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 80 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 28 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 237 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 1.9 mOhm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3.0 V |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] |
| Power Dissipation (TA=25C) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC=25C) | — | 214 W |
| MSL লেভেল | — | 1 |
| Avalanche Rated | — | Yes |