BSC190N15NS3GATMA1 vs IRFS52N15DTRLP তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSC190N15NS3GATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IRFS52N15DTRLP নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
BSC190N15NS3GATMA1 - 150V 50A N-Channel OptiMOS 3 MOSFET | Infineon
BSC190N15NS3GATMA1 ✓ সক্রিয়
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | BSC190N15NS3GATMA1 | IRFS52N15DTRLP |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Technology | OptiMOS 3 (N-Channel) | HEXFET (Planar) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 50 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C | [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | 20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.5 V to 3.5 V | 2.0 V to 4.0 V (typical 3 V) |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 19 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V | [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at 10V] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | [DATA_NEEDED: total gate charge in nC] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 125 W | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55 C to +150 C | -55 C to +175 C (junction) |
| প্যাকেজ | PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 EP) | D2PAK (TO-263) surface mount |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| MSL লেভেল | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for D2PAK) |
| FET Type | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ TC = 25 C | — | 51 A (Tc) |
| Continuous Drain Current (Id) @ TC = 100 C | — | 36 A (Tc, estimated) |
| Continuous Drain Current (Id) @ TA = 25 C | — | 60 A (Ta, datasheet) |
| On-Resistance Rds(on) max @ VGS = 10 V | — | 32 mOhm |
| Gate-to-Drain Charge (Qgd) | — | [DATA_NEEDED: Qgd in nC] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss in pF] |
| Power Dissipation (Pd) @ TC = 25 C | — | 230 W (Tc) |
| Power Dissipation (Pd) @ TA = 25 C | — | 3.8 W (Ta) |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) | — | [DATA_NEEDED: RthJC in C/W] |
| Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) | — | [DATA_NEEDED: RthJA in C/W] |
| পিন সংখ্যা | — | 3 (Gate, Drain, Source) + tab |
| Lead-Free Finish | — | Yes (matte tin) |