BSS138NH6327XTSA2 vs 2N7002L তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSS138NH6327XTSA2 নির্দিষ্ট Infineon ও 2N7002L নির্দিষ্ট onsemi. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | BSS138NH6327XTSA2 | 2N7002L |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | onsemi |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Polarity | N-Channel | — |
| Operating Mode | Enhancement | — |
| V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) | 60 V | — |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | 3.5 ohm | — |
| Continuous Drain Current (Ta) | 230 mA | — |
| Power Dissipation (Ta) | 360 mW | — |
| Gate Threshold V_GS(th) | [DATA_NEEDED: typical V_GS(th) value] | — |
| প্যাকেজ | PG-SOT-23 (3-pin) | SOT-23 (SOT-23-3) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | [DATA_NEEDED: Tj max and operating range] | — |
| Gate-Source Voltage V_GS max | ±20 V | — |
| dv/dt Rated | Yes | — |
| হ্যালোজেন মুক্ত | Yes (per IEC 61249-2-21) | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| AEC-Q101 Qualification | Qualified | — |
| Lead Plating | Pb-free | — |
| Marking Code | [DATA_NEEDED: top-side marking code] | — |
| Packaging | Tape and Reel | — |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | — | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 115 mA (Ta) |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 7.5 ohm max at VGS = 5V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | +/-20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1 V to 2.5 V |
| Power Dissipation (PD) | — | 200 mW (Ta), 225 mW max |
| Technology | — | High cell density trench MOSFET |
| Configuration | — | Single FET |
| Switching Performance | — | Fast switching, rugged and reliable |
| Gate Drive | — | 5V logic-level enhancement mode |
| Typical Applications | — | Low-side switching, servo motor control, gate driving, logic-level shifting |
| Manufacturer | — | onsemi |
| RoHS স্ট্যাটাস | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |