BSS138NH6327XTSA2 vs 2N7002L Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSS138NH6327XTSA2 tarafından Infineon ve 2N7002L tarafından onsemiAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSS138NH6327XTSA2 2N7002L
Marka Infineon onsemi
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Polarity N-Channel —
Operating Mode Enhancement —
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) 60 V —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 3.5 ohm —
Continuous Drain Current (Ta) 230 mA —
Power Dissipation (Ta) 360 mW —
Gate Threshold V_GS(th) [DATA_NEEDED: typical V_GS(th) value] —
Paket PG-SOT-23 (3-pin) SOT-23 (SOT-23-3)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı [DATA_NEEDED: Tj max and operating range] —
Gate-Source Voltage V_GS max ±20 V —
dv/dt Rated Yes —
Klorürsüz Yes (per IEC 61249-2-21) —
RoHS Compliance Compliant —
AEC-Q101 Qualification Qualified —
Lead Plating Pb-free —
Marking Code [DATA_NEEDED: top-side marking code] —
Packaging Tape and Reel —
Transistor Türü — N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) — 115 mA (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) — 7.5 ohm max at VGS = 5V
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1 V to 2.5 V
Power Dissipation (PD) — 200 mW (Ta), 225 mW max
Technology — High cell density trench MOSFET
Configuration — Single FET
Switching Performance — Fast switching, rugged and reliable
Gate Drive — 5V logic-level enhancement mode
Typical Applications — Low-side switching, servo motor control, gate driving, logic-level shifting
Manufacturer — onsemi
RoHS Durumu — [DATA_NEEDED: RoHS status]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin