IAUCN04S7N006ATMA1 vs IAUC100N04S6L020ATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IAUCN04S7N006ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IAUC100N04S6L020ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IAUCN04S7N006ATMA1 IAUCN04S7N006ATMA1 - 40V 175A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N006ATMA1 - 40V 175A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N006ATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
IAUC100N04S6L020ATMA1 IAUC100N04S6L020ATMA1 - 40V 100A 2mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L020ATMA1 - 40V 100A 2mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L020ATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IAUCN04S7N006ATMA1 IAUC100N04S6L020ATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) 175 A —
On-State Resistance (RDS(on)) 0.63 mOhm (typ at VGS = 10 V) —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Technology OptiMOS 5 (trench) OptiMOS 6
প্যাকেজ PG-TDSON-8-43 PG-TDSON-8 (SS08, 5x6 mm leadless)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55 C to +175 C -55 °C to +175 °C (TJ)
Junction Temperature Max 175 C —
Power Dissipation Max (Pd) [DATA_NEEDED: Pd max] —
Gate Charge Total (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Lead-Free / RoHS Yes (compliant) —
MSL লেভেল [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS — 40 V
Continuous Drain Current (Tc) — 100 A
Power Dissipation (Tc) — 75 W
RDS(on) Maximum @ VGS=10V, ID=50A — 2.04 mΩ
RDS(on) Typical — 2.0 mΩ
Gate-Source Voltage VGS (max) — ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typical — 2.0 V
Qualification — Automotive grade
Packaging — Tape & Reel (TMA1)
RoHS স্ট্যাটাস — Compliant

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট