IAUZ40N10S5N130ATMA1 vs IAUZ18N10S5L420ATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IAUZ40N10S5N130ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IAUZ18N10S5L420ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IAUZ40N10S5N130ATMA1 - 100V 40A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUZ40N10S5N130ATMA1 ✓ সক্রিয়Infineon
IAUZ18N10S5L420ATMA1 - 100V 18A 42mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon
IAUZ18N10S5L420ATMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IAUZ40N10S5N130ATMA1 | IAUZ18N10S5L420ATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IAUZ40N10S5N130ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 5 (super-junction trench) | OptiMOS 5 trench |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 40 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 160 A | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 13 mΩ | — |
| RDS(on) typical | 10 mΩ | — |
| Maximum Power Dissipation (Tc) | 68 W | — |
| প্যাকেজ | PG-TSDSON-8-33 (S3O8), 3.3 × 3.3 mm | PG-TSDSON-8-32 (S3O8) 3.3x3.3 mm |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55°C to +175°C (TJ) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 qualified |
| Lead-Free / RoHS | ROHS3 Compliant | — |
| Series | — | OptiMOS 5 100V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 18 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 42 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1.7 V to 2.7 V |
| Total Gate Charge (Qg) typ. | — | 8.5 nC |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 30 W |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | — | -55 °C to +175 °C |
| Configuration | — | Single with built-in diode |
| RoHS স্ট্যাটাস | — | Compliant |
| MSL লেভেল | — | 1 |