IAUZ40N10S5N130ATMA1 vs IAUZ18N10S5L420ATMA1 比較
詳細な並列比較: IAUZ40N10S5N130ATMA1 メーカー: Infineon および IAUZ18N10S5L420ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Infineon
IAUZ40N10S5N130ATMA1 - 100V 40A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUZ40N10S5N130ATMA1 ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | IAUZ40N10S5N130ATMA1 | IAUZ18N10S5L420ATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.52 | $0.48 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IAUZ40N10S5N130ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 5 (super-junction trench) | OptiMOS 5 trench |
| トランジスタタイプ | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 40 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 160 A | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 13 mΩ | — |
| RDS(on) typical | 10 mΩ | — |
| Maximum Power Dissipation (Tc) | 68 W | — |
| パッケージ | PG-TSDSON-8-33 (S3O8), 3.3 × 3.3 mm | PG-TSDSON-8-32 (S3O8) 3.3x3.3 mm |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| 動作温度範囲 | -55°C to +175°C (TJ) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 qualified |
| Lead-Free / RoHS | ROHS3 Compliant | — |
| Series | — | OptiMOS 5 100V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 18 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 42 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1.7 V to 2.7 V |
| Total Gate Charge (Qg) typ. | — | 8.5 nC |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 30 W |
| 動作接合温度 | — | -55 °C to +175 °C |
| Configuration | — | Single with built-in diode |
| RoHS ステータス | — | Compliant |
| MSLレベル | — | 1 |