IPD031N03LGATMA1 vs IPB021N10NM5LF2ATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPD031N03LGATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IPB021N10NM5LF2ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IPD031N03LGATMA1 - 30V 90A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPD031N03LGATMA1 ✓ সক্রিয়Infineon
IPB021N10NM5LF2ATMA1 - 100V 2.1mΩ Linear FET MOSFET | Infineon
IPB021N10NM5LF2ATMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IPD031N03LGATMA1 | IPB021N10NM5LF2ATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS 3 | OptiMOS 5 trench-gate MOSFET (Linear FET optimized) |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25 °C | 90 A (Tc) | — |
| Power Dissipation (Pd) | 94 W (Tc) | — |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | 3.1 mΩ | — |
| RDS(on) Max @ VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) @ 4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/max] | — |
| Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) | 4.5 V, 10 V | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical @ 10V Vgs] | — |
| Output Charge (Qoss) | Ultra low (per datasheet tagline) | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | -55 °C to +175 °C (junction) | — |
| প্যাকেজ | PG-TO252-3-11 (DPAK-2) | PG-TO263-3-2 (D2PAK, surface mount, 3 pins + tab) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Mounting Tab | Drain (electrically connected) | — |
| Avalanche Energy Rated | Yes (per OptiMOS 3 datasheet family) | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| MSL লেভেল | 1 | [DATA_NEEDED: confirm MSL rating from manufacturer datasheet] |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | OptiMOS 5 Linear FET 2 |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25°C | — | 176 A |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_A=25°C | — | 30 A |
| R_DS(on) Maximum | — | 2.1 mΩ |
| Gate-Source Voltage (V_GS) Maximum | — | ±20 V [DATA_NEEDED: absolute max rated V_GS] |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/min] |
| Power Dissipation (P_D) at T_C=25°C | — | 375 W |
| Power Dissipation (P_D) at T_A=25°C | — | 3.8 W |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | — | -55°C to +175°C [DATA_NEEDED: confirm from datasheet operating junction range] |
| Drive Voltage (Max R_DS(on), Min R_DS(on)) | — | 10 V, 15 V |