IPD135N03LGATMA1 vs IRFZ44NPBF তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPD135N03LGATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IRFZ44NPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IPD135N03LGATMA1 IPD135N03LGATMA1 - 30V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD135N03LGATMA1 - 30V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD135N03LGATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
IRFZ44NPBF IRFZ44NPBF - 55V 49A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFZ44NPBF - 55V 49A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFZ44NPBF ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IPD135N03LGATMA1 IRFZ44NPBF
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS™ —
ট্রানজিস্টর টাইপ N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) 30 A (Tc) —
Power Dissipation (PD) 31 W (Tc) —
প্যাকেজ / কেস PG-TO252-3 (DPAK), Surface Mount —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] —
Gate Charge (Qg) Ultra-low (per OptiMOS™ family spec) —
Output Charge (Qoss) Ultra-low (per OptiMOS™ family spec) —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55°C to +175°C (TJ max typical for OptiMOS) —
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Through Hole
MSL লেভেল 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Lead-Free Finish Yes —
Qualification Industrial (Infineon OptiMOS™ standard grade) —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 49 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 17.5 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 42 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 94 W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — 1.0 C/W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) — 62 C/W
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা — -55C to +175C
প্যাকেজ — TO-220AB (3-pin + tab)
Technology — HEXFET (Advanced Process)
Avalanche Energy Rating (EAS) — [DATA_NEEDED: EAS rating]

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট