IQE012N03LM5CGSCATMA1 vs IQE220N15NM5CGSCATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IQE012N03LM5CGSCATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IQE220N15NM5CGSCATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IQE012N03LM5CGSCATMA1 IQE012N03LM5CGSCATMA1 - 30V 1.15mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE012N03LM5CGSCATMA1 - 30V 1.15mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE012N03LM5CGSCATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 IQE220N15NM5CGSCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5CGSCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5CGSCATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IQE012N03LM5CGSCATMA1 IQE220N15NM5CGSCATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
FET Type N-Channel N-Channel
Technology OptiMOS 5 (trench MOSFET) OptiMOS 5, Source-Down
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 150 V
Continuous Drain Current (ID) @ Ta 34 A —
Continuous Drain Current (ID) @ Tc 224 A —
Maximum RDS(on) @ VGS=10V 1.15 mΩ —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 107 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V (typ, per Merlin listing) 4.6 V
প্যাকেজ PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 × 3.3 mm Source-Down dual-side cooled) PG-WHTFN-9 (Source-Down)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা -55 °C to +175 °C —
MSL লেভেল 1 (per JEDEC J-STD-020, floor life unlimited) —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 5
Continuous Drain Current at Ta (ID) — 7 A
Continuous Drain Current at Tc (ID) — 44 A
Power Dissipation at Ta (PD) — 2.5 W
Power Dissipation at Tc (PD) — 100 W
On-Resistance (RDS(on)) — 22 milliohm (max)
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর — -55C to +150C (junction)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট