IQE012N03LM5CGSCATMA1 vs IQE220N15NM5CGSCATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQE012N03LM5CGSCATMA1 tarafından Infineon ve IQE220N15NM5CGSCATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IQE012N03LM5CGSCATMA1 - 30V 1.15mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IQE012N03LM5CGSCATMA1 ✓ AktifInfineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IQE012N03LM5CGSCATMA1 | IQE220N15NM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | OptiMOS 5 (trench MOSFET) | OptiMOS 5, Source-Down |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta | 34 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc | 224 A | — |
| Maximum RDS(on) @ VGS=10V | 1.15 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 107 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V (typ, per Merlin listing) | 4.6 V |
| Paket | PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 × 3.3 mm Source-Down dual-side cooled) | PG-WHTFN-9 (Source-Down) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55 °C to +175 °C | — |
| MSL Seviyesi | 1 (per JEDEC J-STD-020, floor life unlimited) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| Continuous Drain Current at Ta (ID) | — | 7 A |
| Continuous Drain Current at Tc (ID) | — | 44 A |
| Power Dissipation at Ta (PD) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc (PD) | — | 100 W |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 22 milliohm (max) |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55C to +150C (junction) |