IQE036N08NM6CGSCATMA1 vs IQE220N15NM5CGSCATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IQE036N08NM6CGSCATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IQE220N15NM5CGSCATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IQE036N08NM6CGSCATMA1 - 80V 118A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon
IQE036N08NM6CGSCATMA1 ✓ সক্রিয়Infineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IQE036N08NM6CGSCATMA1 | IQE220N15NM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 6 | OptiMOS 5 |
| Part Status | Active | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 16.7 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 118 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 125 W | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| প্যাকেজ / কেস | PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 6) | OptiMOS 5, Source-Down |
| Configuration | Source Down, Center Gate, Dual-Side Cooling | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55 C to +150 C (junction, per datasheet derating curves) | -55C to +150C (junction) |
| Packing | Tape and Reel (suffix ATMA1) | — |
| Voltage Rating | 60 V to 100 V category (80 V nominal) | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Continuous Drain Current at Ta (ID) | — | 7 A |
| Continuous Drain Current at Tc (ID) | — | 44 A |
| Power Dissipation at Ta (PD) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc (PD) | — | 100 W |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 22 milliohm (max) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4.6 V |
| প্যাকেজ | — | PG-WHTFN-9 (Source-Down) |