IQE036N08NM6CGSCATMA1 vs IQE220N15NM5CGSCATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQE036N08NM6CGSCATMA1 بذریعہ Infineon اور IQE220N15NM5CGSCATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IQE036N08NM6CGSCATMA1 - 80V 118A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon
IQE036N08NM6CGSCATMA1 ✓ فعالInfineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IQE036N08NM6CGSCATMA1 | IQE220N15NM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 6 | OptiMOS 5 |
| Part Status | Active | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 16.7 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 118 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 125 W | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| پیکیج / کیس | PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 6) | OptiMOS 5, Source-Down |
| Configuration | Source Down, Center Gate, Dual-Side Cooling | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 C to +150 C (junction, per datasheet derating curves) | -55C to +150C (junction) |
| Packing | Tape and Reel (suffix ATMA1) | — |
| Voltage Rating | 60 V to 100 V category (80 V nominal) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Continuous Drain Current at Ta (ID) | — | 7 A |
| Continuous Drain Current at Tc (ID) | — | 44 A |
| Power Dissipation at Ta (PD) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc (PD) | — | 100 W |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 22 milliohm (max) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4.6 V |
| پیکیج | — | PG-WHTFN-9 (Source-Down) |