IQE050N08NM5CGATMA1 vs IQE036N08NM6CGATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IQE050N08NM5CGATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IQE036N08NM6CGATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IQE050N08NM5CGATMA1 - 80V N-Ch MOSFET 5mΩ Source-Down | Infineon
IQE050N08NM5CGATMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IQE050N08NM5CGATMA1 | IQE036N08NM6CGATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (Ta) | 16 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 101 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Max | 5.0 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 100 W | — |
| প্যাকেজ | PG-TTFN-9-1 (Surface Mount) | PG-TTFN-9-3 (Source-Down PQFN, 3.3 x 3.3 mm) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 (Source-Down) | Trench MOSFET, OptiMOS 6 |
| Gate Threshold Vgs(th) Typ | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | -55°C to +175°C (TJ max) | — |
| Total Gate Charge Qg Typ | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg typical] | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| MSL লেভেল | [DATA_NEEDED: MSL rating] | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 6 |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 80 V |
| Gate-Source Voltage (Vgs) | — | [DATA_NEEDED: Vgs max] |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | — | 118 A |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta | — | 16.7 A |
| Rds(on) max at Vgs=10V | — | 3.6 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | 3.5 V (max) |
| Power Dissipation at Tc | — | 125 W |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.5 W |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | — | -55 C to +175 C (junction, Tj) |
| Configuration | — | Single N-channel, Source-Down |