IRF1310NSTRLPBF vs IRL2910STRLPBF তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRF1310NSTRLPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRL2910STRLPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IRF1310NSTRLPBF | IRL2910STRLPBF |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 42 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 36 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 73.3 nC | 93.3 nC |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 160 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 3.8 W | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55C to +175C | -55C to +175C (TJ) |
| প্যাকেজ | D2PAK (TO-263AB) | D2PAK (TO-263) Surface Mount |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET) | HEXFET (Infineon/IR) |
| Built-in Diode | Yes (intrinsic body diode) | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix) | — |
| Configuration | Single with built-in diode | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C | — | 55 A |
| On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10V | — | 26 mOhm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | Logic-level (1V-2V) |
| Power Dissipation @ TA=25C | — | 3.8 W |
| Power Dissipation @ TC=25C | — | 200 W |
| RoHS স্ট্যাটাস | — | Compliant |
| হ্যালোজেন মুক্ত | — | Compliant (per GlobalSpec) |