IRF7832TRPBF vs BSS205NH6327XTSA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRF7832TRPBF নির্দিষ্ট Infineon ও BSS205NH6327XTSA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IRF7832TRPBF | BSS205NH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | Infineon Technologies |
| Part Number | IRF7832TRPBF | BSS205NH6327XTSA1 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | HEXFET (trench MOSFET) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 20 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 4.0 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/- 20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typical | 1.0 V to 2.5 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) typical | 34 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 2.5 W | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55 C to +150 C (TJ) | -55 °C to +150 °C (junction) |
| প্যাকেজ | 8-SO (SOIC-8) | PG-SOT23 (SC-59, TO-236-3), 3-pin |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL লেভেল | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage V<sub>DS</sub> | — | 20 V |
| Continuous Drain Current I<sub>D</sub> (Ta) | — | 2.5 A |
| Power Dissipation P<sub>D</sub> (Ta) | — | 500 mW |
| R<sub>DS(on)</sub> max (V<sub>GS</sub>=4.5 V) | — | 85 mΩ |
| Gate Threshold V<sub>GS(th)</sub> | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] |
| Gate Drive Voltage | — | Logic-level compatible |
| Qualification | — | AEC-Q101 |
| Lead Plating | — | Pb-free |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | — | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Packaging | — | Tape & Reel (H6327) |