IRFR120NTRPBF vs IRFR5410TRPBF তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRFR120NTRPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRFR5410TRPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IRFR5410TRPBF - -100V P-Channel HEXFET MOSFET, 13A, DPAK | Infineon
IRFR5410TRPBF ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IRFR120NTRPBF | IRFR5410TRPBF |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 9.4 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C | 48 W | — |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max | 210 milliohms at VGS=10V | — |
| Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V to 4 V typical | — |
| Total Gate Charge (Qg) typical | 16.7 nC | — |
| Gate-to-Source Charge (Qgs) | [DATA_NEEDED: Qgs] | — |
| Gate-to-Drain Charge (Qgd) | [DATA_NEEDED: Qgd] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| Output Capacitance (Coss) | [DATA_NEEDED: Coss] | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | [DATA_NEEDED: Crss] | — |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রার পরিসর | -55C to +175C | — |
| প্যাকেজ | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK), surface mount |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Channel Type | N-Channel Enhancement Mode | — |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET fifth generation) | HEXFET (advanced process, Gen 5) |
| Avalanche Energy Rating (EAS) | [DATA_NEEDED: EAS] | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) max | [DATA_NEEDED: RthJC] | — |
| Lead-Free / RoHS Status | Lead-Free, RoHS Compliant | Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix) |
| Polarity | — | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | -100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC = 25 °C | — | -13 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS = -10 V | — | 205 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Total Gate Charge (Qg) typ | — | 70 nC |
| Power Dissition (PD) at TC = 25 °C | — | 66 W |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | — | -55 °C to +150 °C (TJ) |
| Avalanche Rated | — | Yes (fully avalanche rated) |
| MSL লেভেল | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| RDS(on) Test Conditions | — | VGS = -10 V, ID = -7.0 A |