IRFR120NTRPBF vs IRFR5410TRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFR120NTRPBF מאת Infineon ו IRFR5410TRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF - 100V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR120NTRPBF - 100V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR120NTRPBF ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IRFR120NTRPBF IRFR5410TRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 9.4 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C 48 W —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max 210 milliohms at VGS=10V —
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V to 4 V typical —
Total Gate Charge (Qg) typical 16.7 nC —
Gate-to-Source Charge (Qgs) [DATA_NEEDED: Qgs] —
Gate-to-Drain Charge (Qgd) [DATA_NEEDED: Qgd] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) [DATA_NEEDED: Crss] —
טווח טמפרטורת צומת פעולה -55C to +175C —
מארז TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), surface mount
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Technology HEXFET (IR MOSFET fifth generation) HEXFET (advanced process, Gen 5)
Avalanche Energy Rating (EAS) [DATA_NEEDED: EAS] —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) max [DATA_NEEDED: RthJC] —
Lead-Free / RoHS Status Lead-Free, RoHS Compliant Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix)
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC = 25 °C — -13 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS = -10 V — 205 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Total Gate Charge (Qg) typ — 70 nC
Power Dissition (PD) at TC = 25 °C — 66 W
טווח טמפרטורת פעולה — -55 °C to +150 °C (TJ)
Avalanche Rated — Yes (fully avalanche rated)
רמת MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
RDS(on) Test Conditions — VGS = -10 V, ID = -7.0 A

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר