IRLR7843TRPBF vs BSC050NE2LSATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRLR7843TRPBF নির্দিষ্ট Infineon ও BSC050NE2LSATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IRLR7843TRPBF | BSC050NE2LSATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C | 161 A | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C | 140 W | — |
| On-Resistance Rds(on) Max @ Vgs=10V | 3.3 mOhm | — |
| On-Resistance Rds(on) Max @ Vgs=4.5V | 4.5 mOhm (typ) | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 34 nC | — |
| Gate-to-Source Voltage Max | ±20 V | — |
| Avalanche Energy (Eas) | Fully characterized | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55C to +175C | -55C to +150C |
| প্যাকেজ | TO-252AA (DPAK) | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET | OptiMOS 25V (trench) |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix = lead-free) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 25 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25C | — | 58 A |
| Continuous Drain Current (I_D) at Ta=25C | — | 39 A |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 5 mOhm |
| R_DS(on) typical at V_GS=10V | — | 4.2 mOhm |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | [DATA_NEEDED: V_GS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] |
| Power Dissipation at Ta=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc=25C | — | 28 W |
| RoHS স্ট্যাটাস | — | Compliant |