IRS2106STRPBF vs IR2109SPBF তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRS2106STRPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IR2109SPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IRS2106STRPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver, 0.6A SOIC-8 | Infineon
IRS2106STRPBF ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IRS2106STRPBF | IR2109SPBF |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Driver Configuration | High-Side and Low-Side (Half-Bridge) | Half-Bridge |
| আউটপুটের সংখ্যা | 2 | — |
| Logic Type | Non-Inverting | — |
| Offset Voltage (High-Side) | 600 V (max) | — |
| Gate Drive Supply (VCC) | 10 V to 20 V | — |
| Bootstrap Supply (VBS) | Up to 25 V | — |
| Source Current (IO+) | 0.29 A (typical) | — |
| Sink Current (IO-) | 0.6 A (typical) | — |
| Turn-On Propagation Delay (ton) | 200 ns (typical) | — |
| Turn-Off Propagation Delay (toff) | 200 ns (typical) | — |
| Rise Time (tr) | [DATA_NEEDED: rise time] | — |
| Fall Time (tf) | [DATA_NEEDED: fall time] | — |
| Deadtime | 50 ns (typical, internal matching) | — |
| Shutdown Input (SD) | Yes (active-low, single pin) | — |
| UVLO (VCC and VBS) | Yes | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | -40C to +125C | — |
| প্যাকেজ | 8-SOIC (3.90 mm width) | SOIC-8 |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| MSL লেভেল | 2 | — |
| Number of Drivers | — | 2 (high-side + low-side) |
| High-Side Voltage Tolerance | — | 600 V |
| Supply Voltage (VCC) | — | 10 V to 20 V |
| Source Current (typical) | — | 0.2 A |
| Sink Current (typical) | — | 0.35 A |
| Turn-On Propagation Delay | — | 150 ns |
| Turn-Off Propagation Delay | — | 150 ns |
| রাইজ টাইম | — | 200 ns |
| পতন সময় | — | 50 ns |
| Quiescent VCC Current | — | 1 mA |
| Input Logic Compatibility | — | 3.3 V / 5 V CMOS / TTL |
| Undervoltage Lockout | — | Yes (VCC) |
| Bootstrap Diode | — | Integrated |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | — | -40 C to +150 C |