ISC009N03LF2SATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা ISC009N03LF2SATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও ISC015N06NM5ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
ISC009N03LF2SATMA1 - 30V 341A 0.9mΩ N-Channel MOSFET | Infineon
ISC009N03LF2SATMA1 ✓ সক্রিয়
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | ISC009N03LF2SATMA1 | ISC015N06NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS™ trench | Trench MOSFET (OptiMOS 5) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 43 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 341 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 188 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 0.9 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.35 V (typ) | — |
| প্যাকেজ | PG-TDSON-8-62 (SuperSO8 5x6) | PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55 °C to +175 °C (junction, [DATA_NEEDED: exact operating range from datasheet]) | -55 C to +175 C |
| Gate Drive Voltage (VGS) | 10 V (typical for rated RDS(on)) | — |
| MSL লেভেল | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 5 |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 33 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C | — | 259 A |
| On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V | — | 1.5 mOhm |
| Total Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Total Power Dissipation (TC) | — | 188 W |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | — | 1 |