ISC009N03LF2SATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de ISC009N03LF2SATMA1 por Infineon y ISC015N06NM5ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro ISC009N03LF2SATMA1 ISC015N06NM5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,48 $0,62
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS™ trench Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 43 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 341 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 188 W —
On-Resistance RDS(on) max 0.9 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.35 V (typ) —
Encapsulado PG-TDSON-8-62 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +175 °C (junction, [DATA_NEEDED: exact operating range from datasheet]) -55 C to +175 C
Gate Drive Voltage (VGS) 10 V (typical for rated RDS(on)) —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Estado RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C — 259 A
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 1.5 mOhm
Total Power Dissipation (TA) — 3 W
Total Power Dissipation (TC) — 188 W
MSL (Moisture Sensitivity Level) — 1

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