ISC015N06NM5ATMA1 vs BSC340N08NS3GATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা ISC015N06NM5ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSC340N08NS3GATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | ISC015N06NM5ATMA1 | BSC340N08NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 33 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C | 259 A | — |
| On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V | 1.5 mOhm | — |
| Total Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Total Power Dissipation (TC) | 188 W | — |
| প্যাকেজ | PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55 C to +175 C | -55C to +150C |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 5) | OptiMOS 3 (N-Channel Trench) |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | — |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | 1 | — |
| Part Number | — | BSC340N08NS3GATMA1 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 23 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 7 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 92 A |
| On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 34 mOhm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Gate-Source Voltage VGS max | — | +/- 20 V |
| Power Dissipation (Tc) | — | 32 W |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| MSL লেভেল | — | 1 |
| RoHS / Lead-Free | — | RoHS compliant, lead-free |
| Channel Type | — | Single N-Channel |
| Total Gate Charge Qg typ | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Avalanche Rating | — | Repetitive avalanche rated |