K4A4G165WD-BCTD vs K4A4G165WF-BCTD তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4A4G165WD-BCTD নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও K4A4G165WF-BCTD নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Samsung Electronics
K4A4G165WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM x16 2666Mbps | Samsung
K4A4G165WD-BCTD ✓ সক্রিয়
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | K4A4G165WD-BCTD | K4A4G165WF-BCTD |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| স্টক স্ট্যাটাস | — | In Stock |
| ইউনিট মূল্য (USD) | — | $8.20 |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | — |
| সংগঠন | 256M x 16 | 256M x 16 |
| ডেটা রেট | 2666 Mbps/pin (-BCTD speed grade) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Core Supply (VPP) | 2.5 V | — |
| ইন্টারফেস | SSTL-12 | SSTL-12 |
| Data Mask | Yes (DM per byte lane) | — |
| Bank Architecture | 16 banks / 4 bank groups | — |
| প্যাকেজ | 96-ball FBGA | FBGA-96 (PBGA96) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | 0C to +85C (commercial) | 0C to +95C |
| On-Die Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes (external RZQ resistor) | — |
| CRC / CA Parity | CRC read/write support | — |
| Reset | Asynchronous reset (RESET_n) | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| মেমরি সাইজ | — | 4 Gbit |
| Speed (Data Rate) | — | 2666 Mbps (DDR4-2666) |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| I/O Voltage VDDQ | — | 1.2 V |
| বৈশিষ্ট্য | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Technology | — | Samsung F-die CMOS |
| Bank Groups | — | 4 (x16 configuration) |
| Refresh | — | Self-refresh and auto-refresh supported |