K4B4G1646E-BYMA vs H5TC4G63AFR-H9A তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4B4G1646E-BYMA নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও H5TC4G63AFR-H9A নির্দিষ্ট SK hynix. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ সক্রিয়
SK hynix
H5TC4G63AFR-H9A H5TC4G63AFR-H9A - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-H9A - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-H9A ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার K4B4G1646E-BYMA H5TC4G63AFR-H9A
ব্র্যান্ড Samsung Electronics SK hynix
ক্যাটাগরি Memory ICs Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
ইউনিট মূল্য (USD) $14.32 —
মেমরি টাইপ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb 4 Gb
সংগঠন 256M x 16 256M x 16
সাপ্লাই ভোল্টেজ 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) 1.35 V
Clock Frequency 933 MHz —
ডেটা রেট 1866 Mbps/pin 1866 Mbps (PC3-14900)
অপারেটিং তাপমাত্রা 0°C to +95°C 0C to +95C (TC)
Operating Current 14 mA —
Standby Current 2 mA, 3 mA —
প্যাকেজ FBGA-96 96-ball FBGA
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount —
RoHS Compliant —
CAS লেটেন্সি [DATA_NEEDED: CAS Latency] 13
Burst Length [DATA_NEEDED: Burst Length] 8, 4
পিনের সংখ্যা 96 —
Lead-Free — Yes
হ্যালোজেন মুক্ত — Yes
RoHS Compliant — Yes
On-Die Termination — Yes
Self-Refresh — Yes
Auto-Refresh — Yes

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট