K4B4G1646E-BYMA vs H5TC4G63AFR-H9A השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4B4G1646E-BYMA מאת Samsung Electronics ו H5TC4G63AFR-H9A מאת SK hynix. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4B4G1646E-BYMA | H5TC4G63AFR-H9A |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | SK hynix |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| מחיר ליחידה (USD) | $14.32 | — |
| סוג זיכרון | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| ארגון | 256M x 16 | 256M x 16 |
| מתח אספקה | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) | 1.35 V |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| קצב נתונים | 1866 Mbps/pin | 1866 Mbps (PC3-14900) |
| טמפרטורת פעולה | 0°C to +95°C | 0C to +95C (TC) |
| Operating Current | 14 mA | — |
| Standby Current | 2 mA, 3 mA | — |
| מארז | FBGA-96 | 96-ball FBGA |
| סוג הרכבה | Surface Mount | — |
| RoHS | Compliant | — |
| השהיית CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | 13 |
| Burst Length | [DATA_NEEDED: Burst Length] | 8, 4 |
| מספר פינים | 96 | — |
| Lead-Free | — | Yes |
| נטול הלוגנים | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Auto-Refresh | — | Yes |