K9LCG08U1M vs K9HCG08U1M তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K9LCG08U1M নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও K9HCG08U1M নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Samsung Electronics
K9HCG08U1M - 64Gb 8Gx8 MLC NAND Flash | Samsung | SSD Storage
K9HCG08U1M ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | K9LCG08U1M | K9HCG08U1M |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | Flash | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | NAND Flash, MLC | — |
| Density | 64 Gbit (8 GB) | — |
| সংগঠন | x8 I/O | 8G x 8 |
| ইন্টারফেস | Asynchronous multiplexed NAND I/O | — |
| Cell Type | MLC (2 bits per cell) | — |
| প্যাকেজ | BGA | TSOP-48 (PDSO48) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | [DATA_NEEDED: supply voltage] | [DATA_NEEDED: supply voltage] |
| Page Size | [DATA_NEEDED: page size] | [DATA_NEEDED: page size] |
| Block Size | [DATA_NEEDED: block size] | [DATA_NEEDED: block size] |
| Page Read Time | [DATA_NEEDED: page read time] | — |
| Page Program Time | [DATA_NEEDED: page program time] | — |
| Block Erase Time | [DATA_NEEDED: block erase time] | — |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +105C (TA) |
| RoHS স্ট্যাটাস | unknown | — |
| Ordering Codes | K9LCG08U1M-LCB0 / K9LCG08U1M-LCB00 / K9LCG08U1M-LCB | — |
| Memory Technology | — | MLC NAND Flash |
| Total Capacity | — | 64 Gbit |
| ডেটা বাস প্রস্থ | — | 8 bit |
| ইন্টারফেস টাইপ | — | Asynchronous NAND (multiplexed address/data/command) |
| Read Time (tR) | — | [DATA_NEEDED: read time] |
| Program Time (tPROG) | — | [DATA_NEEDED: program time] |
| Program/Erase Cycles | — | [DATA_NEEDED: endurance] |
| Ready/Busy Output | — | Yes (R/B#) |
| Die Technology | — | Samsung E-die (per datasheet family) |
| Full Ordering Code | — | K9HCG08U1M-PCB0 / K9HCG08U1M-PCB0T00 |