K9LCG08U1M vs K9HCG08U1M तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K9LCG08U1M द्वारा Samsung Electronics और K9HCG08U1M द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K9HCG08U1M - 64Gb 8Gx8 MLC NAND Flash | Samsung | SSD Storage
K9HCG08U1M ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K9LCG08U1M | K9HCG08U1M |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Flash | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | NAND Flash, MLC | — |
| Density | 64 Gbit (8 GB) | — |
| संगठन | x8 I/O | 8G x 8 |
| इंटरफ़ेस | Asynchronous multiplexed NAND I/O | — |
| Cell Type | MLC (2 bits per cell) | — |
| पैकेज | BGA | TSOP-48 (PDSO48) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| सप्लाई वोल्टेज | [DATA_NEEDED: supply voltage] | [DATA_NEEDED: supply voltage] |
| Page Size | [DATA_NEEDED: page size] | [DATA_NEEDED: page size] |
| Block Size | [DATA_NEEDED: block size] | [DATA_NEEDED: block size] |
| Page Read Time | [DATA_NEEDED: page read time] | — |
| Page Program Time | [DATA_NEEDED: page program time] | — |
| Block Erase Time | [DATA_NEEDED: block erase time] | — |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +105C (TA) |
| RoHS स्थिति | unknown | — |
| Ordering Codes | K9LCG08U1M-LCB0 / K9LCG08U1M-LCB00 / K9LCG08U1M-LCB | — |
| Memory Technology | — | MLC NAND Flash |
| Total Capacity | — | 64 Gbit |
| डेटा बस चौड़ाई | — | 8 bit |
| इंटरफ़ेस प्रकार | — | Asynchronous NAND (multiplexed address/data/command) |
| Read Time (tR) | — | [DATA_NEEDED: read time] |
| Program Time (tPROG) | — | [DATA_NEEDED: program time] |
| Program/Erase Cycles | — | [DATA_NEEDED: endurance] |
| Ready/Busy Output | — | Yes (R/B#) |
| Die Technology | — | Samsung E-die (per datasheet family) |
| Full Ordering Code | — | K9HCG08U1M-PCB0 / K9HCG08U1M-PCB0T00 |