MPXV5004DP vs MPVZ5004GW6U তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা MPXV5004DP নির্দিষ্ট NXP Semiconductors ও MPVZ5004GW6U নির্দিষ্ট NXP Semiconductors. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
NXP Semiconductors
MPVZ5004GW6U - 0/3.92kPa Vented Gauge Pressure Sensor | 8-SMD
MPVZ5004GW6U ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | MPXV5004DP | MPVZ5004GW6U |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| ক্যাটাগরি | Pressure Sensors | Pressure Sensors |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Pressure Type | Differential (Dual Port, Same Side) | Vented Gauge |
| Pressure Range | 0 kPa to 3.92 kPa (0 to 0.57 PSI) | — |
| Port Type | Male Tube, 3.3 mm O.D., Dual Same-Side | — |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 4.75 V to 5.25 V (5 V typical) | — |
| সাপ্লাই কারেন্ট | 10 mA typical | [DATA_NEEDED: supply current] |
| আউটপুট ভোল্টেজ রেঞ্জ | 1.0 V to 4.9 V at 5 V supply | 1 V to 4.9 V (at VDD = 5 V) |
| আউটপুট টাইপ | Analog, Ratiometric to VCC | Analog Voltage (ratiometric) |
| Accuracy | ±1.5% Vfss typical (after auto-zero) | ±1.5 %VFSS typical over compensated range |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | 0°C to +85°C | — |
| Storage Temperature | -30°C to +100°C | — |
| প্যাকেজ | 8-BSOP (CASE 1351-01), 12.06 mm width | 8-SMD Module with male 0.22" (5.59 mm) tube port |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Response Time | 1 ms typical | — |
| Sensing Technology | Piezoresistive (MEMS strain gauge) | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Signal Conditioning | On-chip amplified and calibrated | On-chip amplified, temperature-compensated, calibrated |
| Manufacturer | — | NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor) |
| Product Type | — | Piezoresistive Pressure Sensor |
| Operating Pressure Range | — | 0 kPa to 3.92 kPa (0 to 0.57 PSI) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 5 V typical |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | — | 0 °C to +85 °C (compensated) |
| Port Style | — | Male Tube, vertical |
| Technology | — | Piezoresistive MEMS with bipolar signal conditioning |