MT29F1G08ABAEAWP-IT:E vs K9F2808UOC-PCB0 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা MT29F1G08ABAEAWP-IT:E নির্দিষ্ট Micron Technology ও K9F2808UOC-PCB0 নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Micron Technology
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E - 1Gbit SLC NAND Flash | Micron
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E ✓ সক্রিয়
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | MT29F1G08ABAEAWP-IT:E | K9F2808UOC-PCB0 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Micron Technology | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | NRND |
| মেমরি সাইজ | 1 Gbit (128 MB) | — |
| সংগঠন | 128M x 8 | 16M x 8 bit |
| ইন্টারফেস | Parallel | — |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 3.3 V | — |
| Access Time | 25 ns | — |
| Page Size | 2048 bytes + 64 bytes spare | 528 bytes (512 main + 16 spare) |
| Block Size | 128 KB | 16 pages (16 KiB + 256 spare bytes) |
| Program Time | 200 us (typical) | — |
| Erase Time | 2 ms (typical) | — |
| Endurance | 100K program/erase cycles | — |
| Data Retention | 10 years | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | -40C to +85C | Commercial / Industrial (C, I grade) |
| প্যাকেজ | TSOP-48 | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | — |
| মেমরি টাইপ | — | NAND Flash (SLC, Small-Page) |
| Memory Density | — | 128 Mbit (16M x 8) |
| Operating Voltage (VCC) | — | 2.7 V to 3.6 V |
| Read Access Time | — | 50 ns |
| Package Options | — | 48-TSOP I, 48-WSOP1, 63-TBGA |
| I/O Bus Width | — | x8 |
| Command Set | — | Standard NAND (00h/01h/10h/30h/60h/D0h/50h) |
| Status Output | — | R/B# open-drain ready/busy |
| Technology Node | — | Samsung 2nd-generation SLC NAND |
| Cell Type | — | Single-Level Cell (SLC) |
| Programming Model | — | Page program, block erase |
| Lead-Free / RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status from Samsung datasheet] |