RTAX1000SL-CQ352V vs RTAX2000DL-1CQ352V তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা RTAX1000SL-CQ352V নির্দিষ্ট Microchip Technology ও RTAX2000DL-1CQ352V নির্দিষ্ট Microchip Technology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Microchip Technology
RTAX1000SL-CQ352V - 1M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Microchip
RTAX1000SL-CQ352V ✓ সক্রিয়Microchip Technology
RTAX2000DL-1CQ352V - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Microchip
RTAX2000DL-1CQ352V ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | RTAX1000SL-CQ352V | RTAX2000DL-1CQ352V |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Microchip Technology | Microchip Technology |
| ক্যাটাগরি | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Family | RTAX-SL (RTAX-S/SL Radiation-Tolerant FPGAs) | RTAX-DSP (RTAX2000DL) |
| Equivalent System Gates | 1,000,000 | 2,000,000 (approx.) |
| CLBs (Logic Modules) | 12,096 | — |
| Logic Cells | 18,144 | 29,568 |
| Maximum Toggle Frequency | 581 MHz | — |
| Process Technology | 0.15 um CMOS | — |
| Core Voltage | 1.5 V | — |
| Programming Technology | Antifuse (one-time programmable) | Antifuse (one-time programmable) |
| Radiation Tolerance | Radiation-tolerant, space-flight qualified family | Radiation-tolerant (RTAX-DSP) |
| Power-Up Behavior | Live at power-up (non-volatile) | — |
| Configuration Upset Immunity | No SEU in configuration memory (antifuse) | — |
| Embedded Memory | Embedded SRAM with built-in FIFO control logic | — |
| প্যাকেজ | 352-pin Ceramic CQFP (CQ352V) | CQ352 (352-pin ceramic QFP) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] |
| I/O Voltage | [DATA_NEEDED: I/O bank voltage range] | — |
| Total Ionizing Dose (TID) | [DATA_NEEDED: TID rating in krad (Si)] | — |
| MSL লেভেল | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Estimated Equivalent Gates per CLB | [DATA_NEEDED: gates-per-CLB ratio] | — |
| CLBs | — | 19,712 |
| Core Supply Voltage | — | 1.425 V to 1.575 V (nominal 1.5 V) |
| Technology | — | Digital CMOS |
| Configuration | — | Live at power-up, no external boot memory |
| Speed Grade | — | -1 |
| Application Domain | — | Space-flight systems |
| Special Features | — | DSP multiply-accumulate blocks (DL variant) |
| Embedded SRAM | — | [DATA_NEEDED: Embedded SRAM capacity] |