1ED020I12B2XUMA1 vs 1EDB9275FXUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 1ED020I12B2XUMA1 von Infineon und 1EDB9275FXUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 1ED020I12B2XUMA1 1EDB9275FXUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,65 $1,62
Driver Type Single-channel IGBT gate driver, galvanically isolated —
Isolation Technology Coreless transformer (magnetic coupling) Coreless transformer (CT)
Isolation Voltage (Vrms) 4500 Vrms 3 kVrms
Number of Channels 1 1
Output Current (typ.) 2 A source / 2 A sink —
Propagation Delay (typ.) 35 ns —
Supported Switch Voltage Class Up to 1200 V IGBT / SiC MOSFET —
DESAT Protection Yes (programmable threshold) —
Miller Clamp Yes (integrated 2 A clamp FET) —
Input Supply (VCC1) 5 V (logic side) —
Output Supply (VCC2) Unipolar 15 V or bipolar -8.5 V / 15 V —
Gehäuse PG-DSO-16-15 (300 mil wide-body DSO-16) PG-DSO-8 (150 mil)
Creepage Distance 8 mm —
Betriebstemperatur -40 °C to +125 °C —
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level MSL-3 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Compliance RoHS compliant —
Funktion — Isolated single-channel gate driver (high-side, inverting)
Ausgangskonfiguration — High-side half-bridge
Peak Source/Sink Current — 9 A
Input Voltage (VDD) — 3 V to 15 V
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) — 300 V/ns
Clamping Response Time — 20 ns
Propagation Delay — [DATA_NEEDED: propagation delay value]
Input Logic — Inverting
Betriebstemperaturbereich — -40 C to +125 C
RoHS-Status — Compliant

Datenblätter & Ressourcen

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