1ED3124MC12HXUMA1 vs 1ED3127MU12FXUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 1ED3124MC12HXUMA1 von Infineon und 1ED3127MU12FXUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 1ED3124MC12HXUMA1 1ED3127MU12FXUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,45 $0,74
Channel Type Single-channel —
Configuration High-side / Low-side (non-inverting) —
Number of Drivers 1 —
Anzahl der Ausgänge 1 1
Peak Source Current 13.5 A —
Peak Sink Current 14 A —
Isolation Technology Magnetic coupling (coreless transformer) —
Isolation Voltage (RMS) 5.7 kV —
Transient Overvoltage 8000 Vpk —
Supply Voltage (VCC2) 10.5 V to 35 V —
Supply Current (Max) 1.1 mA —
Propagation Delay (Typ) 90 ns —
Anstiegszeit 15 ns —
Abfallzeit 30 ns —
Betriebstemperatur -40 C to +125 C —
Gehäuse PG-DSO-8 (DSO-8) PG-DSO-8-72 (SOIC-8 wide-body)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Protections UVLO, Short-Circuit (DESAT) —
Target Devices IGBT, SiC MOSFET —
RoHS-Status Compliant Compliant
Funktion — Single-channel isolated gate driver
Ausgangskonfiguration — High-side / Low-side, Inverting / Non-Inverting
Peak Output Current — 10 A (source/sink)
Continuous Output Current — 9 A
Supply Voltage (VCC2 secondary) — 12 V to 35 V
Supply Voltage (VCC1 primary) — 3 V to 5.5 V
Propagation Delay (typ.) — 15 ns
Delay Matching (typ.) — 30 ns
Galvanic Isolation — 3000 Vrms (coreless transformer)
Betriebstemperaturbereich — -40C to +125C
Protection Features — Miller clamp, UVLO, DESAT short-circuit protection
Drives — IGBT, MOSFET, SiC MOSFET

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