1ED3125MU12FXUMA1 vs 1ED3127MU12FXUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 1ED3125MU12FXUMA1 von Infineon und 1ED3127MU12FXUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 1ED3125MU12FXUMA1 1ED3127MU12FXUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,55 $0,74
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family EiceDRIVER Compact 1ED31xx —
Funktion Single-channel isolated gate driver Single-channel isolated gate driver
Peak Output Current 14 A 10 A (source/sink)
Typical Output Current 10 A —
Isolation Voltage 3000 Vrms —
Propagation Delay (typ) 90 ns —
Number of Channels 1 —
Isolation Technology Magnetic coupling (coreless transformer) —
Gehäuse PG-DSO-8 PG-DSO-8-72 (SOIC-8 wide-body)
Pin-Anzahl 8 —
Driver Supply Voltage (VCC) 3 V to 5.5 V (input side) —
Output Side Supply (VOUT) 12 V to 20 V —
Betriebstemperaturbereich -40 C to +150 C -40C to +125C
Active Miller Clamp Yes —
Short-Circuit Clamping Yes —
Active Shutdown Yes —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes —
RoHS-Status Compliant Compliant
Anzahl der Ausgänge — 1
Ausgangskonfiguration — High-side / Low-side, Inverting / Non-Inverting
Continuous Output Current — 9 A
Supply Voltage (VCC2 secondary) — 12 V to 35 V
Supply Voltage (VCC1 primary) — 3 V to 5.5 V
Propagation Delay (typ.) — 15 ns
Delay Matching (typ.) — 30 ns
Galvanic Isolation — 3000 Vrms (coreless transformer)
Protection Features — Miller clamp, UVLO, DESAT short-circuit protection
Montageart — Surface Mount
Drives — IGBT, MOSFET, SiC MOSFET

Datenblätter & Ressourcen

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