1ED3127MU12FXUMA1 vs 1ED020I12B2XUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 1ED3127MU12FXUMA1 von Infineon und 1ED020I12B2XUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 1ED3127MU12FXUMA1 1ED020I12B2XUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,74 $2,65
Funktion Single-channel isolated gate driver —
Anzahl der Ausgänge 1 —
Ausgangskonfiguration High-side / Low-side, Inverting / Non-Inverting —
Peak Output Current 10 A (source/sink) —
Continuous Output Current 9 A —
Supply Voltage (VCC2 secondary) 12 V to 35 V —
Supply Voltage (VCC1 primary) 3 V to 5.5 V —
Propagation Delay (typ.) 15 ns 35 ns
Delay Matching (typ.) 30 ns —
Galvanic Isolation 3000 Vrms (coreless transformer) —
Betriebstemperaturbereich -40C to +125C —
Protection Features Miller clamp, UVLO, DESAT short-circuit protection —
Gehäuse PG-DSO-8-72 (SOIC-8 wide-body) PG-DSO-16-15 (300 mil wide-body DSO-16)
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant —
Drives IGBT, MOSFET, SiC MOSFET —
Driver Type — Single-channel IGBT gate driver, galvanically isolated
Isolation Technology — Coreless transformer (magnetic coupling)
Isolation Voltage (Vrms) — 4500 Vrms
Number of Channels — 1
Output Current (typ.) — 2 A source / 2 A sink
Supported Switch Voltage Class — Up to 1200 V IGBT / SiC MOSFET
DESAT Protection — Yes (programmable threshold)
Miller Clamp — Yes (integrated 2 A clamp FET)
Input Supply (VCC1) — 5 V (logic side)
Output Supply (VCC2) — Unipolar 15 V or bipolar -8.5 V / 15 V
Creepage Distance — 8 mm
Betriebstemperatur — -40 °C to +125 °C
MSL-Level — MSL-3 (per JEDEC J-STD-020)
Compliance — RoHS compliant

Datenblätter & Ressourcen

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