1ED3127MU12FXUMA1 vs 1ED020I12B2XUMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 1ED3127MU12FXUMA1 por Infineon e 1ED020I12B2XUMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 1ED3127MU12FXUMA1 1ED020I12B2XUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,74 $2,65
Função Single-channel isolated gate driver —
Número de saídas 1 —
Configuração de saída High-side / Low-side, Inverting / Non-Inverting —
Peak Output Current 10 A (source/sink) —
Continuous Output Current 9 A —
Supply Voltage (VCC2 secondary) 12 V to 35 V —
Supply Voltage (VCC1 primary) 3 V to 5.5 V —
Propagation Delay (typ.) 15 ns 35 ns
Delay Matching (typ.) 30 ns —
Galvanic Isolation 3000 Vrms (coreless transformer) —
Faixa de temperatura de operação -40C to +125C —
Protection Features Miller clamp, UVLO, DESAT short-circuit protection —
Encapsulamento PG-DSO-8-72 (SOIC-8 wide-body) PG-DSO-16-15 (300 mil wide-body DSO-16)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant —
Drives IGBT, MOSFET, SiC MOSFET —
Driver Type — Single-channel IGBT gate driver, galvanically isolated
Isolation Technology — Coreless transformer (magnetic coupling)
Isolation Voltage (Vrms) — 4500 Vrms
Number of Channels — 1
Output Current (typ.) — 2 A source / 2 A sink
Supported Switch Voltage Class — Up to 1200 V IGBT / SiC MOSFET
DESAT Protection — Yes (programmable threshold)
Miller Clamp — Yes (integrated 2 A clamp FET)
Input Supply (VCC1) — 5 V (logic side)
Output Supply (VCC2) — Unipolar 15 V or bipolar -8.5 V / 15 V
Creepage Distance — 8 mm
Temperatura de operação — -40 °C to +125 °C
Nível MSL — MSL-3 (per JEDEC J-STD-020)
Compliance — RoHS compliant

Fichas técnicas e recursos

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