1ED3127MU12FXUMA1 vs 2EDN7534RXTMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 1ED3127MU12FXUMA1 von Infineon und 2EDN7534RXTMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 1ED3127MU12FXUMA1 2EDN7534RXTMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,74 $0,40
Funktion Single-channel isolated gate driver Low-side gate driver
Anzahl der Ausgänge 1 —
Ausgangskonfiguration High-side / Low-side, Inverting / Non-Inverting Non-inverting
Peak Output Current 10 A (source/sink) —
Continuous Output Current 9 A —
Supply Voltage (VCC2 secondary) 12 V to 35 V —
Supply Voltage (VCC1 primary) 3 V to 5.5 V —
Propagation Delay (typ.) 15 ns —
Delay Matching (typ.) 30 ns —
Galvanic Isolation 3000 Vrms (coreless transformer) —
Betriebstemperaturbereich -40C to +125C —
Protection Features Miller clamp, UVLO, DESAT short-circuit protection —
Gehäuse PG-DSO-8-72 (SOIC-8 wide-body) PG-TSSOP-8
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant
Drives IGBT, MOSFET, SiC MOSFET —
Number of Channels — 2
Peak Output Current (source/sink) — 5 A / 5 A
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 20 V
Propagation Delay (typ) — 19 ns
Input Logic Compatibility — LV-TTL
Input Voltage Tolerance — -12 V to +22 V (absolute max)
Output Resistance (Ron) — <1 ohm (typ)
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes
Betriebstemperatur — -40C to +125C
MSL-Level — 1 (unlimited)
Lead-Free — Yes

Datenblätter & Ressourcen

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