1ED3127MU12FXUMA1 vs 2EDN7534RXTMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 1ED3127MU12FXUMA1 por Infineon y 2EDN7534RXTMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
1ED3127MU12FXUMA1 1ED3127MU12FXUMA1 - 10A Isolated Gate Driver 3kV | Infineon

1ED3127MU12FXUMA1 - 10A Isolated Gate Driver 3kV | Infineon

1ED3127MU12FXUMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro 1ED3127MU12FXUMA1 2EDN7534RXTMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,74 $0,40
Función Single-channel isolated gate driver Low-side gate driver
Número de salidas 1 —
Configuración de salida High-side / Low-side, Inverting / Non-Inverting Non-inverting
Peak Output Current 10 A (source/sink) —
Continuous Output Current 9 A —
Supply Voltage (VCC2 secondary) 12 V to 35 V —
Supply Voltage (VCC1 primary) 3 V to 5.5 V —
Propagation Delay (typ.) 15 ns —
Delay Matching (typ.) 30 ns —
Galvanic Isolation 3000 Vrms (coreless transformer) —
Rango de temperatura de funcionamiento -40C to +125C —
Protection Features Miller clamp, UVLO, DESAT short-circuit protection —
Encapsulado PG-DSO-8-72 (SOIC-8 wide-body) PG-TSSOP-8
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS Compliant Compliant
Drives IGBT, MOSFET, SiC MOSFET —
Number of Channels — 2
Peak Output Current (source/sink) — 5 A / 5 A
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 20 V
Propagation Delay (typ) — 19 ns
Input Logic Compatibility — LV-TTL
Input Voltage Tolerance — -12 V to +22 V (absolute max)
Output Resistance (Ron) — <1 ohm (typ)
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes
Temperatura de funcionamiento — -40C to +125C
Nivel MSL — 1 (unlimited)
Lead-Free — Yes

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