1ED44173N01BXTSA1 vs 1ED44175N01BXTSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 1ED44173N01BXTSA1 von Infineon und 1ED44175N01BXTSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 1ED44173N01BXTSA1 1ED44175N01BXTSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,42 $0,54
Product Type Low-Side MOSFET Gate Driver —
Number of Channels 1 1
Configuration Non-Inverting Non-inverting
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 25 V —
Output Current (Source) 2.6 A typical —
Output Current (Sink) 2.6 A typical —
Anstiegszeit [DATA_NEEDED: rise time] —
Abfallzeit [DATA_NEEDED: fall time] —
Propagation Delay < 100 ns typical [DATA_NEEDED: propagation delay ns]
Ruhestrom 0.4 mA typical —
Over-Current Protection Yes (integrated, 4.5 V to 25 V threshold) —
Fault Reporting Yes (open-drain FAULT pin) —
Enable-Pin Yes Yes
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes —
Betriebstemperatur -40 C to +125 C —
Gehäuse PG-SOT23-6-3 (6-pin) PG-SOT23-6-3 (6-lead)
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant
Funktion — Low-side gate driver
Gate Type — IGBT, MOSFET (single-channel)
Output Current (Source/Sink) — 2.6 A typical
Supply Voltage Range — Up to 25 V
Logic Input Compatibility — CMOS, LSTTL
Over-Current Protection (OCP) — Integrated (OCP pin)
FAULT Output — Yes (status reporting)
Rise/Fall Time — [DATA_NEEDED: rise/fall time ns]
Betriebstemperaturbereich — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Technology — CMOS (latch-up immune)
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL level]

Datenblätter & Ressourcen

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