1ED44173N01BXTSA1 vs 1ED44175N01BXTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 1ED44173N01BXTSA1 por Infineon e 1ED44175N01BXTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 1ED44173N01BXTSA1 1ED44175N01BXTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,42 $0,54
Product Type Low-Side MOSFET Gate Driver —
Number of Channels 1 1
Configuration Non-Inverting Non-inverting
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 25 V —
Output Current (Source) 2.6 A typical —
Output Current (Sink) 2.6 A typical —
Tempo de subida [DATA_NEEDED: rise time] —
Tempo de descida [DATA_NEEDED: fall time] —
Propagation Delay < 100 ns typical [DATA_NEEDED: propagation delay ns]
Corrente de repouso 0.4 mA typical —
Over-Current Protection Yes (integrated, 4.5 V to 25 V threshold) —
Fault Reporting Yes (open-drain FAULT pin) —
Pino de habilitação Yes Yes
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes —
Temperatura de operação -40 C to +125 C —
Encapsulamento PG-SOT23-6-3 (6-pin) PG-SOT23-6-3 (6-lead)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant Compliant
Função — Low-side gate driver
Gate Type — IGBT, MOSFET (single-channel)
Output Current (Source/Sink) — 2.6 A typical
Supply Voltage Range — Up to 25 V
Logic Input Compatibility — CMOS, LSTTL
Over-Current Protection (OCP) — Integrated (OCP pin)
FAULT Output — Yes (status reporting)
Rise/Fall Time — [DATA_NEEDED: rise/fall time ns]
Faixa de temperatura de operação — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Technology — CMOS (latch-up immune)
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]

Fichas técnicas e recursos

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