1EDB7275FXUMA1 vs 1EDB9275FXUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 1EDB7275FXUMA1 von Infineon und 1EDB9275FXUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 1EDB7275FXUMA1 1EDB9275FXUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,68 $1,62
Product Type Single-channel isolated gate driver IC —
Topology Supported High-side / low-side, half-bridge (with two parts) —
Isolation Technology Coreless transformer (CT) magnetic coupling Coreless transformer (CT)
Isolation Voltage (Viso) 3000 Vrms —
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) 300 V/ns (minimum) 300 V/ns
Peak Source Output Current 5.4 A (typical) —
Peak Sink Output Current 9.8 A (typical) —
Propagation Delay +6 / -4 ns (typical, see datasheet family) [DATA_NEEDED: propagation delay value]
Supported Switch Technologies Si MOSFET, SiC MOSFET, GaN HEMT —
Gehäuse PG-DSO-8 (150 mil DSO, 8-pin) PG-DSO-8 (150 mil)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich [DATA_NEEDED: full operating temperature range] -40 C to +125 C
UVLO Protection Yes (secondary side) —
Marking Code 1B7275A —
RoHS-Status Compliant Compliant
Funktion — Isolated single-channel gate driver (high-side, inverting)
Number of Channels — 1
Ausgangskonfiguration — High-side half-bridge
Peak Source/Sink Current — 9 A
Input Voltage (VDD) — 3 V to 15 V
Isolation Voltage (Vrms) — 3 kVrms
Clamping Response Time — 20 ns
Input Logic — Inverting
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Datenblätter & Ressourcen

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