1EDB7275FXUMA1 vs 1EDB9275FXUMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок 1EDB7275FXUMA1 от Infineon и 1EDB9275FXUMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
1EDB7275FXUMA1 1EDB7275FXUMA1 - Single-Channel Isolated Gate Driver IC | Infineon

1EDB7275FXUMA1 - Single-Channel Isolated Gate Driver IC | Infineon

1EDB7275FXUMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр 1EDB7275FXUMA1 1EDB9275FXUMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,68 $1,62
Product Type Single-channel isolated gate driver IC —
Topology Supported High-side / low-side, half-bridge (with two parts) —
Isolation Technology Coreless transformer (CT) magnetic coupling Coreless transformer (CT)
Isolation Voltage (Viso) 3000 Vrms —
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) 300 V/ns (minimum) 300 V/ns
Peak Source Output Current 5.4 A (typical) —
Peak Sink Output Current 9.8 A (typical) —
Propagation Delay +6 / -4 ns (typical, see datasheet family) [DATA_NEEDED: propagation delay value]
Supported Switch Technologies Si MOSFET, SiC MOSFET, GaN HEMT —
Корпус PG-DSO-8 (150 mil DSO, 8-pin) PG-DSO-8 (150 mil)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Диапазон рабочих температур [DATA_NEEDED: full operating temperature range] -40 C to +125 C
UVLO Protection Yes (secondary side) —
Marking Code 1B7275A —
Статус RoHS Compliant Compliant
Функция — Isolated single-channel gate driver (high-side, inverting)
Number of Channels — 1
Выходная конфигурация — High-side half-bridge
Peak Source/Sink Current — 9 A
Input Voltage (VDD) — 3 V to 15 V
Isolation Voltage (Vrms) — 3 kVrms
Clamping Response Time — 20 ns
Input Logic — Inverting
Уровень MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену