1EDN7116GXTMA1 vs 1EDN7146GXTMA1 Vergleich

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Infineon
1EDN7146GXTMA1 1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter 1EDN7116GXTMA1 1EDN7146GXTMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,84 $1,05
Funktion Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs —
Driver Configuration Non-inverting, single low-side —
Number of Drivers 1 1
Peak Source Current 2 A (typ) —
Peak Sink Current 4 A (typ) —
Input Type Truly Differential Input (TDI) TDI (Truly Differential Inductor)
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 5.5 V 4.5 V to 20 V
Switch-Node Blocking Voltage 200 V (max) —
Propagation Delay (Typ) 9 ns —
Rise Time (Typ) 3 ns —
Fall Time (Typ) 3 ns —
Quiescent Current (Typ) 0.6 mA —
Miller Clamp Integrated, active —
UVLO Yes (VCC and gate-rail monitored) —
Betriebstemperaturbereich -40 °C to +125 °C —
Gehäuse PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm) PG-VSON-10-4
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level MSL3 1
RoHS-Status Compliant Compliant
Target Switch Technology GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET —
Driver Type — High-side, single-channel
Logic Type — Non-Inverting
Maximum Bootstrap Voltage (VB) — 200 V
Source/Sink Drive Current — 500 mA / 500 mA
Gate Drive Voltage — Up to 11 V (typ)
Propagation Delay (typ) — 40 ns
Rise/Fall Time (typ) — [DATA_NEEDED: rise/fall time]
UVLO (VCC) — Yes
UVLO (VB) — Yes
Bootstrap Diode — Integrated
Betriebstemperatur — -40 C to +125 C

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